Samsung no ha tardado mucho en lanzar un contra-ataque en toda regla a la presentación por parte de Qualcomm la semana pasada del Snapdragon 820. Como era de esperar tras el éxito que cosecho su Exynos 7, el nuevo Samsung Exynos 8 Octa, rivalizará de tu a tu y con alguna ventaja sobre lo que hemos visto hasta ahora en el mundo de los procesadores.
Como ya ocurriera el año pasado, la distancia entre transistores de Samsung mejora a las de la competencia, en este caso estamos ante FinFet de 14 nanómetros, una rápida comparativa con el Snapdragon 820 nos deja ver como los 22 nm del chip de Qualcomm siguen sin ser suficientes.
Samsung Exynos 8 parece más potente que sus rivales directos
También tenemos diferencias en el número de núcleos, Samsung ha introducido 8 núcleos con tecnología de 64 bits en su procesador, de este modo tendremos dos bloques diferentes, uno con cuatro chips Cortex-A8 para procesos que requieran un alto rendimiento, y otros cuatro Cortex-A53 para tareas que requieran poco rendimiento, y que por tanto ayudarán a reducir el consumo.
La CPU se espera sea un 30% más rápida que su antecesora y que además reduzca el consumo en hasta un 10%, esto deja bastante bien parado de nuevo al procesador de Samsung, que ya el año pasado mostro un potencial excelente comparado con el de sus rivales.
En conectividad Samsung ha apostado por LTE de categoría 12/13 que permitirá conexiones de hasta 600 Mbps para descarga, para la subida podremos disfrutar de velocidades de 150 Mbps, gracias al LTE de categoría 13.
La GPU es una Mali-T880, un atractivo chip gráfico que promete un 40% más de ahorro de energía y ser 1,8 veces superior en rendimiento a la T860, algo que estamos deseando probar, ya que esta GPU nos dejo un gran sabor de boca cada vez que la hemos podido probar.
El procesador se espera que este disponible para su producción en masa a finales de este 2016, lo que da que pensar que podría estar listo para ser el chip del nuevo Samsung Galaxy S7 que seguramente será presentado en el mes de febrero en el MWC16.
